半导体XRD测试——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，XRD残余应力选哪家，兼顾重大技术应用的基础研究，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，XRD残余应力哪家好，以及行业应用技术开发。

微区XRD

微区XRD可以测试某个区域的XRD谱图，湖北XRD残余应力，但是测试区域需要大于等于0.5 mm，不能太小。另外测试角度范围默认是5-90 °，其他角度需要先和检测老师沟通后再做决定。比如需要测试块体样品（尺寸要求是长宽一般1-2 cm，厚度不超过5 mm）上面某一个或一些小区域的XRD，就可以用微区XRD来测试。

掠入射XRD

掠入射XRD是专门用来测试薄膜样品的手段。测试光是平行光，相对于常规的衍射光来说能量较小，因此掠入射测试XRD的谱图峰强相对较弱。但是平行光可以更好的关注薄膜表面的信息，也不容易测到基底，因此掠入射XRD专门用于测试薄膜样品。薄膜尺寸没有特别要求，但是需要测试面平整光洁，不要有遮挡物，这样测试结果才真实可信。

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关于样品试片的厚度

　　样品对X射线透明度的影响，跟样品表面对衍射仪轴的偏离所产生的影响类似，会引起衍射峰的位移和不对称的宽化，此误差使衍射峰位移向较低的角度，特别是对线吸收系数μ值小的样品，在低角度区域引起的位移Δ(2θ)会很显著。

　　如果要求准确测量2θ或要求提高仪器分辨率能力，XRD残余应力联系方式，应该使用薄层粉末样品。通常仪器所附的制作样品的样品框的厚度（1.5～2 mm）对于所有样品的要求均已足够了。

制样技巧

　　对于制样来说没有通用的一种方法，通常需依据实际情况有针对性地进行选择。然而无论用何种方法，都需要满足一个前提条件——在制成样品试片直至衍射实验结束的整个过程中，必须保证试片上样品的组成及其物理化学性质和原样品相同，必须确保样品的可靠性。

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技术参数

1、能量分辨率及灵敏度：

l XPS能量分辨率≤0.5 eV，UPS能量分辨率≤120 meV

l XPS灵敏度≥4，000，000 cps，UPS灵敏度≥2，200，000 cps；

2、电子能量分析器：

l 能量扫描范围5 eV - 3000 eV，小能量步长3 meV

l 通过能为1 eV - 400 eV，连续可调

3、X射线光源：

l Al Ka单色化光源（hu = 1486.6 eV），聚焦可获得小束斑≤10 μm

l 束斑面积从10 μm至400μm聚焦连续可调，步长不超过5 μm

l X射线光源大功率150 W

4、紫外光源：

l He紫外光源（He I：21.2 eV，He II：40.8 eV）

l He II工作时，He II / He I强度比高于1/2

5、电子/离子中和源：

l 带有同源双束中和，同时具备电子和离子中和能力

l 满足绝缘样品UPS分析时的荷电中和

6、离子：

l 能量范围：≥4000 eV

l 大束流：4 μA

l 离子能量3 keV，束流3.5 μA时束斑不大于500 μm

l 束斑可调，自动对中

7、角分辨XPS：

l 角分辨XPS角度分辨优于1°

8、样品台：

l 测试样品厚度≤20 mm

l 带有束斑孔径、刀刃边、荧光物质、银和金的标准样品台，用于系统标定

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湖北XRD残余应力-半导体XRD研究所由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所在技术合作这一领域倾注了诸多的热忱和热情，半导体研究所一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创**。相关业务欢迎垂询，联系人：王小姐。