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半导体XRD测试机构 四川XRD小角度检测
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XRD小角度检测XRD残余应力检测——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,XRD小角度检测机构,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。

XRD与EDS有什么区别


SEM,EDS,四川XRD小角度检测,XRD的区别,SEM是扫描电镜,EDS是扫描电镜上配搭的一个用于微区分析成分的配件——能谱仪,是用来对材料微区成分元素种类与含量分析,配合扫描电子显微镜与透射电子显微镜的使用。XRD是X射线衍射仪,是用于物相分析的检测设备。

SEM用于观察标本的表面结构,其工作原理是用一束极细的电子束扫描样品,在样品表面激发出次级电子,次级电子的多少与电子束入射角有关,也就是说与样 品的表面结构有关,次级电子由探测体收集,并在那里被闪烁器转变为光信号,再经光电倍增管和放大器转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度,显示出与电子束同步的扫描图像。图像为立体形象,反映了标本的表面结构。

EDS的原理是各种元素具有自己的X射线特征波长,特征波长的大小则取决于能级跃迁过程中释放出的特征能量△E,能谱仪就是利用不同元素X射线光子特征能量不同这一特点来进行成分分析的。

XRD是利用衍射原理,测定物质的晶体结构,织构及应力,XRD小角度检测测试,的进行物相分析,定性分析,定量分析。

说简单点,SEM是用来看微观形貌的,观察表面的形态、断口、微裂纹等等;EDS则是检测元素及其分布,但是H元素不能检测;XRD观察的是组织结构,可以测各个相的比例、晶体结构等。




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由于材料存在织构,其sin2ψ曲线呈震荡型,选取的ψ角范围不同,得到的拟合直线的斜率和残余应力存在明显差异。在未知材料是否存在织构、晶粒是否粗大的情况下,不可选取较小的ψ范围和较少的ψ站数进行残余应力测定,否则会带来较大的测量误差。

对于sin2ψ曲线呈震荡型的织构材料,采用线性拟合未必是合理的,实际测量过程中,人们通常采用线性拟合的方式对这种震荡和测量误差引起的波动进行处理。关于ψ的范围,大达45°也未必合理,如果可以忽略穿透深度的影响,采用更大的ψ角会更有利于获得较为正确的结果。

对于粗晶粒材料或存在织构的材料而言,尽量扩大ψ角的设置范围,可以通过±ψ角的测量来消除ε-sin2ψ非线性分布的影响。对于小二乘法拟合回归直线而言,若自变量的间距越大(ψ范围越大),测量的数据越多(ψ站数越多),则拟合所得到的直线的准确度越高,测试得到的数值就越可靠。也可以通过增加X射线的照射面积,或是采用摆动法增加参与衍射晶粒的数量来提高测试精度。




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XRD即X-raydiffraction的缩写,X射线衍射,通过对材料进行X射线衍射,分析其衍射图谱,获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态等信息的研究手段。X射 线是一种波长很短(约为20~0.06埃)的电磁波,能穿透一定厚度的物质,并能使荧光物质发光、照相乳胶感光、*体电离。在用电子束轰击金属“靶”产生的X射线中,包含与靶 中各种元素对应的具有特定波长的X射线,称为特征(或标识)X射线。




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